为解决AlGaN基紫外Mini-LED光提取效率(LEE)低、外量子效率(EQE)受限等问题，研究人员通过化学蚀刻调控n-AlGaN表面粗糙度，结合FDTD模拟和电光测试，证实粗糙化处理可同步提升LEE（提升300%）与EQE，并优化热性能，为垂直结构器件工艺优化提供关键依据。 紫外光发光 ...