Dry etch gas是plasma 刻蚀的重要气体来源，gas的选择一般遵循两个原则：①能和被刻蚀材料发生反应；②反应的生成物必须是可挥发的。 关于能否和被刻蚀材料发生反应：一般用键能表示，如C-O＞Si-F>Si-O>Si-Cl>Si-Br＞Si-Si，因为反应总是朝着键能大的方向进行，故F基 ...

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻（Etch）工程的成功取决于在设定的分布范围内对各种变量进行管理，并且每一台刻蚀设备都需做好在最佳条件下运行的准备。

，W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。