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在 Visual Basic (VB) 中，声明和初始化双精度浮点数数组

在 Visual Basic (VB) 中，声明和初始化双精度浮点数数组（Double 类型）可以通过多种方式实现。Double 类型用于存储双精度浮点数，适用于需要更高精度的浮点运算。以下是一些示例，展示如何在 VB 中声明和初始化双精度浮点数数组： 1. 直接初始化 你可以在声明 ...
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在 Visual Basic (VB) 中，浮点数组可以通过多种方式声明和初始化

在 Visual Basic (VB) 中，浮点数组可以通过多种方式声明和初始化，具体取决于你使用的 VB 版本和类型。VB 支持多种浮点数类型，包括 Single（单精度浮点数）和 Double（双精度浮点数）。下面是一些示例，展示如何在 VB 中创建和操作浮点数组。 1. 使用 Single 类型 ...
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S-MOS 单元技术提高了 SiC MOSFET 的效率

[导读]初创公司mqSemi提出了一种适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元概念。S-MOS 概念已通过使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件的 3D-TCAD 模拟在 1200V SiC MOSFET 结构上进行了调整和实施。提供了全套静态和动态结果，用于比较 S-MOS 与采用平面和沟槽 MOS ...
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基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

[导读]绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构，并且运用Sentaurus TCAD软件 ...